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以ⅲ族氮化物和碳化硅为**的宽禁带半导体材料是国内外重点研究和发展的第三代半导体材料,具有优良的材料性能,是制备紫外探测器的理想材料。基于宽禁带半导体的光电探测器与传统的硅基紫外探测器和真空...
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